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3D技术为失忆者带来福音
2014-07-11 16:24:17
益择网讯（慕雪/编译）失忆已不再是偶像剧中的一个经典桥段，它在现实生活中越来越频繁的发生，诸如创伤性脑损伤（TBI）和癫痫这样的疾病和伤害一直在损害人们的记忆力。为扭转这一局面，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）的本努教授团队将开发能够记录和刺激大脑神经元从而帮助恢复记忆能力的植入式神经装置。
记忆是大脑某些区域的神经元进行信息编码、存储和检索的过程，而疾病和伤害则通过破坏这一过程来造成记忆力丧失。LLNL开发的这款装置会利用复杂的电子系统来调节大脑记忆区域的神经元从而恢复旧记忆和形成新记忆。它通过单神经元和局部场电位记录形成一个闭环系统，植入受损大脑中的内嗅皮质和海马体（与记忆有关的脑区），并通过高密度电极阵列的64条通道对神经元进行刺激和记录。此阵列连接到一个植入式电子封装组件中，可以进行无线数据传输，戴在耳部周围的外部电子系统将存储和检索相关的数字信息并通过自定义射频线圈系统来提供电力遥测。此设备的核心是嵌入了生物相容性可变多聚体的微电极，为持续治疗时间，采用了先进的LLNL集成和3D封装技术。
在过去的十年中，LLBL的本努团队已经取得了25项专利，此次他们的目标是于2017建成原型装置并投入临床试验。“失忆是十分痛苦的一件事，我们希望能通过在植入式微型器件领域的多年经验完成这个项目，为医学甚至人类作出应有贡献。”本努信心满满地说。
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