首页 > 供求信息 > 列表

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀

2021-05-14 10:40:18  伯东企业(上海)有限公司  发布

深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 PtAuCr 薄膜刻蚀高端印制电路板生产为主

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

 

Φ4 inch X 12

基片尺寸

Φ4 inch X 12

Φ5 inch X 10

Φ6 inch X 8

均匀性

±5%

硅片刻蚀率

20 nm/min

样品台

直接冷却,水冷

离子源

Φ20cm 考夫曼离子源

 v:shapes="_x0000_i1026">

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号

RFICP 220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

LFN 2000

 

推荐  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  理由:

1. 客户要求规模化生产,  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用

2. 刻蚀均匀性 ±5%, 满足客户要求

3. 工作台冷却方式直接水冷

4. 样品装载数: 18/批(2″)或4/批(

    分享到:
暂无评论

更多促销产品

更多最新产品

海能TANK微波消解仪