仪器简介：

Kratos AXIS Ultra DLD型号的X射线光电子能谱仪（X-ray Photoelectron Spectroscopy，XPS），可使用单色化Al靶X射线源及双阳极Al/Mg靶X射线源，包括大面积XPS，微区XPS及XPS平行成像，场发射俄歇电子能谱（Auger Electron Spectroscopy，AES）；紫外光电子能谱（Ultra-violet electron Spectroscopy，UPS）。
Kratos AXIS Ultra DLD可以提供有关样品表面和界面1-10nm的化学信息。可以一次全分析除氢、氦以外的所有原子百分比（at%）大于0.1%的元素，并可以对元素相对含量进行半定量分析（准确度约10%）。最具有特色的是可以测定元素的化学价态及化学环境的影响，并通过角度关系XPS （Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy，ARXPS）可以提供约10nm的无损深度剖析（non-destructive depth profiling）；此外，Ar离子剥离法可以提供约100nm的有损深度剖析（destructive depth profiling）和样品表面清洁。

性能指标：
　　           1.X射线源
                 靶：单色化Al靶、双阳极Al/Mg靶
                 功率：450W（最大）

                 2.真空系统
                 样品分析室（SAC）：小于5×10-10 Torr（最低压强）
                 样品处理室（STC）：小于5×10-9 Torr（最低压强）

                 3.大面积XPS分析区域
                 单色器Al靶：700×300μm
                 双阳极Al/Mg靶：2000×800μm

                 4.微区XPS分析区域
                 110μm，55μm，27μm和15μm

                 5.离子枪
                 离子源：Ar
                 束流：5μA（最大）

                 6.UPS
                 光源：He紫外光源
                 He（I）/He（II）比例： 4:1
                 功率：30W（最大）

              　7.AES
                电子枪：Schottky场发射
                电子能量：10keV（最大）


技术参数：

　　1.XPS
      能量分辨率：0.48eV/（Ag 3d5/2）
      0.68eV/（C 1s）
      最小分析区域（收谱） <15μm
      灵敏度：大面积 11，800kcps；110μm 1，800kcps；27μm 100kcps
      成像空间分辨率：小于3μm

　　2.UPS
      能量分辨率：Ag表面费米边在20%到80%结合能差不高于120meV
      灵敏度：Ag 4d峰不低于1，000kcps

　　3.AES
      灵敏度： 大于500kcps（10kV/5nA时Cu的LMM峰）
      信噪比：500:1

　　4.SEM
      分辨率：在10kV/5nA时优于100nm
      在3kV/5nA时优于300nm


主要功能及应用领域：
　　主要用于固体材料的表面元素成份及价态的定性、半定量分析，固体表面元素组成的深度剖析及成像。可应用于金属、无机材料、催化剂、聚合物、涂层材料矿石等各种材料的研究，以及腐蚀、摩擦、润滑、粘接、催化、包覆、氧化等过程的研究。

主要附件：UPS、AES、SEM

送样要求：
　　1.样品分析面确保不受污染，可使用异丙醇，丙酮，正己烷，或三氯甲烷溶液（均为分析纯）清洗以达到清洁要求。
　　2.使用玻璃制品（如表面皿、称量瓶等）或者铝箔盛放样品，禁止直接使用塑料容器、塑料袋或纸袋,以免硅树脂或纤维污染样品表面。

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