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最新产品 > 其他仪器 > 特殊设备 > 特殊设备>西安谊邦电子 大功率晶...

更新时间：2025-02-27 14:26:20 点击：300次

产品型号 YB6500
参考报价 返回顶部 面议
基本规格
产品类型 返回顶部 特殊设备
品牌 返回顶部 西安谊邦电子
产地 返回顶部 中国大陆
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技术参数
其他信息
产品简介         YB6500测试系统（以下简称系统）是本公司推出的一款先进的大功率半导体分立器件和半导体模块测试系统。
本系统适合各大研究所做元器件检验以及在线开发器件做生产测试。系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力和增加测试品种范围。自动快速测试可以满足用户大生产需要，故障率低也保证了用户的生产效率。在PC窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。

系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证各种情况下测试结果的准确可靠。

系统主要参数如下：


主极电压：2000V
主极电流：50A 加选件可扩展到：400A，500A,800 A，1000 A,1250A.(用户自选)
控制极电压：20V 加选件可扩展到：80V
控制极电流：10A 加选件可扩展到：40A
电压分辨率：1mV
电流分辨率：1nA （加YB550分辨率为10pA
测试速度：1mS/参数(本系统采用填入式编程方法，专为国内用户开发)
测试种类如下：
1． 二极管 Diode
2． 稳压（齐纳）二极管 Zener
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
4． 可控硅整流器（普通晶闸管） SCR
5． 双向可控硅（双向晶闸管） TRIAC
6． MOS场效应管 Power MOSFET（N-沟/P-沟）
7． 结型场效应管 J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
8． 三端稳压器 REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）
9． 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT（NPN型/PNP型）
10． 光电耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
11． 光电逻辑器件 OPTO-LOGIC
12． 光电开关管 OPTO-SWITCH
13. 达林顿阵列
14． 固态过压保护器 SSOVP
15． 硅触发开关 STS
16． 继电器 RELAY（A、B、C型）
17． 金属氧化物压变电阻 MOV
18. 压变电阻 VARISTOR
19. 双向触发二极管 DIAC
1.上述所列类别包括各大、中、小功率半导体分立器件及其组成的阵列、组合、表贴器2.测试方法符合国家行业总规范、相应的国家标准、国家军用器件测试标准。3.提供上述各类器件测试所用的不同封装形式的测试夹具和测试适配器。4.可以定做各种阵列、组合封装、表贴器件的测试夹具。5.帮助用户开发各种器件的测试程序。


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产品样本  

器件参数                                                           

3.3.2.1 晶体管  TRANSISTOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

ICBO   ICEO/R/S/V

IEBO

0.10V to 999V(2kV)（1）

0.10V to  20V( 80V)（3）

1nA(10pA)（2）

to 50mA 1nA(10pA)（2）

to3A

1nA(1pA)（2）

BVCEO

(电流大于10mA，

脉冲宽度300us)

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V)（1）

to 700V(1.4kV)（1）

to 800V(1.6kV)（1）

0.10V to 999V(2kV)（1）

0.10V to 20V(80V)（3）

1nA  to 200mA

to 100mA

to  50mA

to  50mA

1nA(10pA)（2）to3A

1mV

hFE

 (1 to 99,999)

VCE:  0.10V to 5.00V（5）

           to 9.99V

           to 49.9V

IC: 10uA

to49.9A(1.2kA)（4）

to25A(200A)（4）

 to3A

IB: 1nA to10A

0.01hFE

VCESAT

VBESAT

VBE(VBEON)

RE(间接参数)

VCE：

0.10V   to  5.00V

to  9.99V

VBE：.10V to 9.99V

IE：

10uA to49.9A(1.2kA)（4）

 to25A  (200A)（4）

IB：1nA to10A

1mV

3.3.2.2二极管DIODE

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

IR

0.10V to 999V(2kV)（1）

1nA(10pA)（2）  to 50mA

1nA(1pA)（2）

BVR

0.10V to 999V(2kV)（1）

1nA  to  3A

1mV

VF

0.10V  to  5.00V

to  9.99V

IF: 10uA to49.9A(1.2kA)（4）

to25A(200A)（4）

1mV

3.3.2.3 稳压二极管、齐纳二极管ZENER

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

IR

0.10V to 999V(2kV)（1）

1nA(10pA)（2）  to 50mA

1nA(1pA)（2）

BVZ

VzMIN

IR

0.1V to  5.000V

to  9.999V

to  50.00V

to  700V(1.4kV)(1)

to  999V(2kV)(1)

BVZ  Soak- 50V(100V)(1)

0  to  50ms

to   99sec

10uAto49.9A(1.2kA)(4)

to25A(200A)(4)

to3A

to 100mA

to 50mA

to 400mA

to 80mA

1mV

VF

0.10V  to  5.00V

to  9.99V

IF:10uA to49.9A(1.2kA)(4)

  to25A(200A)(4)

1mV

ZZ(1kHz)

0.1Ω

 to 20kΩ

0.1V  to  200VDC

50μV to  300mV RMS

100μA  to  500mA DC

0.001Ω

1μV

3.3.2.4 三端电源稳压器件REGULATOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

Vo

Input / Output

Regulation

(混合参数)

VO：0.10V to  20V(50V)(3)

VIN：0.10V to 49.9V

负载：电阻或电流型

IO： 1mA to5A

1mV

IIN

VIN：0.10V to 20V(50V)(3)

负载：RGK 1kΩ、10kΩ     

外接，开路，短路

IIN：1mA to3A

10nA

3.3.2.5  J型场效应管J-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

IGSS

IDOFF、IDGO

VGS:0.10V

to  20V(80V)(3)

VDS:0.10V

to 999V(5kV)(1)

1nA(10pA) (2) 

to3A1nA(10pA) (2)

to 50mA

1nA(1pA)(2)

BVDGO

BVGSS

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to  20V(80V)(3)

1nA to  50 mA

1nA to   3A

1mV

VDSON，VGSON

IDSS，IDSON

RDSON (混合参数)

gFS (混合参数)

0.10V to 5.00V

      to 9.99V

ID: 10uA

to49.9A(1.2kA)(4)

    to25A  (200A)(4)

IG：1nA to10A

1mV

VGSOFF

0.10V to 20V(80V)(3)

ID：1nA（10pA）（2）to3A

VD：0.10V to 50V

1mV

3.3.2.6  MOS场效应管  MOS-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

IDSS/V

IGSSF  IGSSR

VGSF  VGSR

0.10V to 999V(2kV(1)

0.10V to 20V(80V)(3)

1nA(10pA)(2)  to 50mA

1nA(10pA)(2)  to3A

1nA(1pA) (2)

BVDSS

0.10V

to 999V(2kV)(1)

1nA to  50mA

1mV

VGSTH

0.10V to 49.9V

ID: 100uA to3A

1mV

VDSON、VF(VSD)

IDON、VGSON

RDSON(混合参数)

gFS  (混合参数)

VD、VF：

0.10V  to  5.00V

to  9.99V

VGS：0.10V

to 9.99V

IF、ID：10uA 

to49.9A(1.2kA)(4)

to25A(200A)(4)

IG：1nA to10A

1mV

3.3.2.7双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

IDRM  IRRM

IGKO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V(80V)(3)

1nA(10pA) (2)  to 50mA

1nA(10pA) (2)  to3A

1nA(1pA)（2）

VD+、VD-

BVGKO             

0.01V to 999V(2kV) (1)

0.10V to 20V(80V) (3)

1nA  to 50mA

1nA  to3A

1mV

VT+  VT-

0.10V to  5.00V

to  9.99V

10uA to49.9A(1.2kA) (4)

 to25A(200A) (4)

IGT：1nA to10A

1mV

I GT  1/2/3/4

VGT  1/2/3/4

VGT:0.10V

to 20V(80V) (3)

VT: 100mV to 49.9V

IGT：  1nA to3A

RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT

1mV

1nA

IL+、IL-

(间接参数)

VD:5V  to  49.9V

IL:  100μA  to3A

IGT: 1nA   to3A

RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

IH+、IH-

VD:5V  to  49.9V

IH:  10uA  to1.5A

IGT: 1nA  to3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL设置 )

1uA

3.3.2.8 单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

IDRM、IRRM、

IGKO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V( 80V)(3)

1nA(10pA)（2） to 50mA 1nA(10pA)（2） to3A

1nA(1pA)（2）

VDRM、VRRM

BVGKO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V( 80V) (3)

1nA  to 50mA

1nA  to3A

1mV

1mV

VTM

0.10V to  5.00V

to  9.99V

10μA to49.9A(1.2kA)(4)

      to25A(200A)(4)

1 mV

I

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测试参数

漏电参数： IR、  ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、

IGESF、IGESR、IEBO、 IGSSF、 LGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

击穿参数： BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)

BVDSS、 VD、  BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBB

BVR 、  VD+、VD-、BVDGO、BVZ

BVEBO、 BVGSS、 BVGKO

增益参数： hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH

导通参数:  VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)

VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、

VO(Regulator)、IIN(Regulator)

关断参数:  VGSOFF

触发参数:  IGT、VGT

保持参数:  IH、IH+、IH-

锁定参数： IL、IL+、IL-

混合参数:  rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

间接参数:  IL

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技术创新
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系统主要特征简述

1. YB半导体分立器件测试系统是我公司从美国引进的国产化项目。产品目前已通过国内两家计量站的检测认定。经过与国内其他测试系统对比使用，YB测试系统在功率范围、测试范围、系统测试精度、系统硬件的可靠性、测试参数的一致性、稳定性等多项指标已远远超过国内产品。 YB目前是国产最好的大功率器件测试系统

2. 服务周到是我公司的优势之一。

选用YB系统，我们的服务可以在一小时内答复解决方案，到达用户现场当天解决系统出现的所有问题。

3. 作为精密仪器引进项目，YB系统严格按照美国产品之标准，全部选用优质可靠的元器件。系统严格按照军用整机检验标准进行测试检验，确保系统的稳定性和可靠性。YB所使用的各种继电器，全部采用国外名牌公司生产的水银继电器，从而大大提高了系统的测试速度，提高了系统的使用寿命。

4. YB在实际操作中，可真实达到电压2000V、电流50A的测试条件。在极限值条件下测试，系统同样保持高精度和良好的重复性、稳定性。此项指标远远领先于国内其他产品。

5. 本系统测试原理和方法符合国家相关规范和标准

6. 大功率器件测试采用脉冲法测试，脉冲宽度为规定的300uS。

7. 系统硬件设计先进，升级能力强。为用户今后做系统升级提供了有力的技术保障。

系统硬件支持电压升级到5000V，电流升级到1250A。

8. 系统采用先进的嵌入式计算机结构，可以实现脱机测试功能。提高了系统的可靠性和使用灵活性。

9. YB系统和测试夹具全部采用多级开尔文技术，采用无电缆连接设计结构，保证测试结果准确可靠。所有测试结果与国外原装系统相一致。各种测试夹具均由高级器件插座和高级插头采用开尔文技术连接装配，不仅确保长寿命工作，可靠性极高，无故障使用寿命在5X106次以上。使测试数据更加准确无误。

10. 系统具有被测器件引腿接触自动判断功能。遇到器件接触不良时系统自动停止对被测器件测试，可确保被测器件不受损坏。

11. 真正的动态跨导测试。（国内其他系统采用直流方法测动态跨导，测试结果与器件实际值偏差很大）。

12. 二极管极性自动判别测试功能，不需人工判别极性测试，方便操作。

13. 具有单参数测试延时编程功能，用户可根据不同器件要求选择延迟时间，增强参数测试稳定性。

14．丰富的WINDOWS界面菜单编程和控制能力，方便的用户信息文件、统计文件方式，可以给出批

次测试失效数量、合格数量，按实测指标分类器件数量。可以给出写字板、excel、记事本方式等。

15．具有96个程序步，99种分类

16．具有混合参数编程方式（参数测试编程不受器件类别限制），可以对同一器件选用不同类别器件的参数进行编程，大大的扩展系统测试能力，对被测器件进行测试和分析，软件使用方便灵活。自动/固定量程测试功能，选用自动量程时，系统根据实测范围自动调整以达到最高测试精度。

内部设有可选择的电流型负载和阻型负载。

17．阻型负载：机内设有不同阻值的电阻负载供选择。

18．电流型负载：机内设有不同档位的恒流源负载供选择。

19. 用户可以按照参数要求，自己设定参数自动分档功能，以便把不同参数的器件自动加以区分、配对提高器件使用价值。

20.  具有高速参数测试和存储功能，参数分析能力。平均每参数测试时间只有1毫秒。

21.  具有在线系统故障判断修复能力，便于用户应急处理排除故障。

22.  具有自检、自校准功能。系统提供自检测试程序和夹具。系统故障自动判别到器件级。自校准功能可将

系统误差存入内置计算机，不需人工校准即可实现精确测试。

23.  具有错误信息提示和在线帮助，面板显示被测器件不合格参数和单步实测参数值。在线帮助是在线提示用户如何简便使用该测试系统。

24.  具有测试结果计算功能，系统可以将任意测试程序步的测试结果进行计算，形成新的测试结果，方便用户进行分析，解决、扩展特殊参数的测试可以将测试程序中任意步的测试结果进行计算，形成新的测试结果，方便用户对器件进行分析。

25.  具有单步测试功能，用于对单个参数进行测试，同时将测试结果值在前面板上显示，方便用户分析。                                                               

26.  具有测试结果分档功能：用户可以按照参数要求，设定参数自动分档功能，系统把不同参数的器件自动加以区分、配对，提高器件使用价值。

27.  具有机械手、探针台、多终端、可选扫描、多路阵列测试能力。

28.  可进行实时运算，允许测试结果比较与数值计算。

29.  功率源选用国际久经验证的电源线路，结合航天电源设计经验，在此基础上形成具有自主产权的功

率源发明专利技术。  

30.  系统设计综合美国、日本多种先进结构技术。

31.  承诺确保系统使用寿命可以达到十年以上，系统功能正常，参数指标符合出厂标准。

上述只列出该系统的部分常用特征。其它多种综合处理能力在使用中可以不断开发扩大。

可根据用户测试使用的要求，方便地选通其他特征。

YB6200/YB6500测试系统采用分立式印制PC板形式，通过系统机箱内的插槽与底板总线连接。位于机箱内部后方的较小部分是STD总线计算机部分。

计算机总线一直延伸到前面各测试板的计算机控制部分。机箱内的前面测试板部分包括：功率源板、模拟板、继电器板、归一化板、控制板等。

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